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Manual Probe Stations | Wafer Probing | Manual Probe Stations | Soc | Wafer Probe Station | Wafer Probe Station

Manual Probe Station | 300 mm Probe Station | Manual Probe Station | 300mm Wafer Probe Stations

150 mm Probe Stations | Wafer Test

Semiconductor Probe | Wafer Probe

MPI マニュアル・プローバ

標準オプション・システム

MPI TS150、TS200、TS300マニュアル・プローブシステムはオープンシステムで、高精度でありながら、使いやすく、お求めやすい価格にて提供可能です。これらのシステムでは基板および 150、200、300 mmウエハの高精度な測定が可能です。

故障解析、設計検証およびIC設計, WLR評価、MEMS、ハイパワーデバイス、デバイス特性評価、モデリングなどの幅広いアプリケーションの構成に対応可能です。

ハイパワーシステム

MPI TS150-HP およびTS200-HP プローブシステムはオンウエハ・ハイパワーデバイス特性を10kV、600Aまで測定できるシステムです。特別に設計されたチャック、コネクタ、ケーブルにより、パワー半導体の低接触抵抗測定を幅広い温度範囲で可能にしました。

TS150-HP

TS200-HP

mmWおよびTHzアプリケーション専用システム

MPI TS150–THZ 研究開発用プローブシステムはサブTHzの周波数帯域で基板基板および150mmまでのウエハの高精度特性評価を低価格で実現した、マニュアル型システムです。このシステムは非常に安定な構造を持ち、大きなプラテンを保有、かつ低プロファイル設計になっています。これらの要素は幅広いRFおよびミリ波測定、すなわち広帯域での220GHzまでの測定、1.1THzまでのバンド型での測定、ロードプル、RFノイズ測定などに最適です。

TS150-AIT およびTS200-THZ プローブシステムはTHz周波数領域においてアクティブ・インピーダンス・チューナをプローブシステムに組み込むことができる複合的な測定に最適なシステムです。これらの2つのシステムは150mmあるいは200mmのプローブシステムで、ミリ波、THzおよびプログラマブル型のインピーダンス・チューナを組み合わせて測定する際、測定の精度に大きく関係する、測定系方向性の高いシステムを構成することが可能です。

TS150-THZ

TS200-THZ

シールド型システム

MPI TS200-SE および TS300-SE プローブシステムには ShielDEnvironment™ 機構がついており、優れたEMIシールディングおよび光遮蔽が保証されます。これらによりモデリング、デバイス評価で必要となる低雑音オンウエハ測定が可能になります。モジュラー型設計により、MPIのマニュアル型プローブシステムは、多くのアップグレードパスが用意されており、保有コストの削減も図れます。

モデリング、デバイス評価