Device Characterization | RF CMOS Component Characterization | Semiconductor Materials | Device Characterization | Device Characterization

  RF Characterization | RF CMOS Component Characterization | Semiconductor Device Modeling | Device Characterization

  RF Characterization | Device Characterization | Silicon Photonics | RF Characterization

  RF CMOS Component Characterization | Semiconductor Device Modeling | Semiconductor Device Modeling

 

モデリングおよびプロセス開発のためのデバイス評価

Device Characterization Process | EMI-shielded Test Environment | Automated Test Equipment

MPIの定義

半導体デバイス・モデリングはディスクリートデバイス(トランジスタ、インダクタ、ダイオード等)のふるまいのモデルを、基本物理モデル、物理寸法および動作条件より導き出すことをいいます。

 上記の様なデバイスをオンウエハで、正確な電気特性を測定する、デバイス特性評価は非常に重要です。

 新しいデバイス技術が登場すると、新しい材料、新しいプロセス開発、新しいプロセス供給が統合されるなどして、デバイス自体が高性能になり、データの抽出量も膨大となります。デバイス特性評価における正確な電気特性測定のチャレンジは続きます。

主な必要性能

デバイス特性評価やモデリングには温度管理およびEMIシールドされた環境下での、デバイスの高精度なIV/CV1/fRTNRF、ミリ波、ロードプル、ノイズ測定等が必要になります。この様な測定では、測定の再現性、プローブ・コンタクトの信頼性、内的/外的ノイズの影響、プローブやチャックの漏れ電流、測定系の温度特性、様々な温度下での測定、ソーク時間の短縮、測定器とデバイス間の電気的接続など、様々な課題に直面します。

デバイス特性評価のプロセスの中では、より多くのデータ抽出が必要になり、測定の自動化が求められます。技術的要件に加え、テストコストの削減のためにはテストセルの効率アップのための測定の自動化が鍵となります。

MPI のソリューション

MPI研究開発用プローブ・システムは高精度な測定が確実に実行できるよう設計されています。用意されたアクセサリにより、同軸、ケルビン、トライアキシャル接続が可能です。-60から300℃までの温度範囲でfAレベルまでの電流リーク測定性能を備えた、優れた温度分布特性を持つサーマルチャック。EMIおよび光遮蔽に優れたMPIShielDEnvironment®型プローブ・システム (TS200-SETS2000-SETS300-SETS3000-SETS3500-SE) は高精度なデバイス特性評価を実現するための心臓部です。

テストフローを最適化し、ソーキング時間を短縮するAirCool®PRIME温度チャック。またホット/コールド・ウエハ交換機能を使用することもテスト時間を短縮し、テストセルの効率を高めるためのMPIソリューションです

MPI WaferWallet® を搭載することにより、TS3500-SE プローブ・システムの測定性能を損なうことなく、ウエハの自動ローディングが可能になります。150200300mmウエハを人間工学に設計された 5個の個別トレイに搭載しておくことにより、最高、5ウエハまでの完全自動化が可能になります。

RFデバイス・モデリングにおいてはMPIの校正用ソフQAlibria®RFプローブを使用することにより、完全なRF測定ソリューションを提供します。110GHzまでの高精度RF測定を可能にします。

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