TS2000-IFEシリーズ – 多様性200 mmプラットフォーム

TS2000-IFEはセミオート型のプローブシステム・プラットフォームで ウエハ・ハンドラーを装着(後付け可)することによりフルオート型プローブシステムに変更することが可能です。

MPIの先端テクノロジー、PHC™(標準装備)やmDrive™またはVCE™(いずれもオプション)が装着可能です。

このプラットフォームの主なアプリケーションはロードプル、RFミリ波シリコンフォトニクスデザイン評価 (プロダクト・エンジニアリング) になります。また、 MEMS試験やその他のセンサーを、定義した環境下で評価できます。 WaferWallet®MAXと組み合わせることにより、MPIはこれらのアプリケーションにおいて、Lab to Fabのへの過程で適切なソリューションを提供します。

 

特長と利点

WaferWallet®MAX – 10倍以上の生産性向上

 

MPIのWaferWallet®MAXは後付けが可能でTS2000-IFEシリーズ・プローブシステムをフルオート・システムに変更可能です。これにより、100、150、200 mmウエハの自動測定が可能になり、量産試験前での大量のデータ収集が迅速になり、製品の市場投入時間の短縮に大きく貢献します。

速い温度遷移時間、ソーキング時間の短縮、先端アライメント機能、WaferWallet®MAXによるウエハの自動搬送/搭載、カセットまたはウエハのホット/コールド・スワッピング機能等により、測定の生産性を従来の約10倍に向上できます。

先端アライメント

 

上部オフアキシス・カメラまたはチャックに装着したオンアキシス・カメラを使った先端アライメント機能により、TS2000-IFEは複雑なRF、ミリ波における測定およびSiPhデバイスの評価を可能にします。MPIのPA事業部で長年にわたり培ってきた技術はシステムの信頼性を保証をいたします。

オプションによりウエハIDの読み取りも可能です。

IceFreeEnvironment™

 

MPIのIceFreeEnvironment™を用いることにより、TS2000-IFEは、-60°C ~ +300°Cの広い温度範囲に於いて、マイクロポジショナとプローブカードを同時に使用してデバイスの評価ができます。

また、TS2000-IFSでは信号系の長さを短くできる設計になっていますので、ミリ波およびロードプル測定には最適なプラットフォームです。

Thermal Chuck Integration

 

チラーをスマートに統合することにより、TS2000-IFEは装置のフットプリントを小さくして貴重なラボ・スペースを小さくするとともに温度遷移時間も最速化しています。

MPIおよびERSの共同開発により開発された新しいPRIME 200 mmチャック・ファミリーは、今までにない柔軟性を提供します。ソーキング時間は約60%短く、種々の温度範囲に対応可能でかつ後付けが可能です。

温度コントロールシステムは統合されたタッチスクリーンより、操作可能です。タッチスクリーンはオペレータが便利に使用できるようにシステムの全面に取り付けられ、オペレータは迅速な操作、フィードバックを実行できます。

ハードウェア・コントロールバネル

 

ハードウェア·コントロールパネルにはMPI社のもつ多年のプロービング経験、お客様よりのフーィドバックにより改良が重らねれ、より早く、より安全に、より簡単にプローブシステムを制御できるようコントロール系統が集約されております。キーポードとマウスは必要に応じてソフトウェアの操作に使用し、Windows®ベースの測定器の操作にも使用します。ウエハチャックおよび補助チャック用真空のコントロールも右前面にあり、ウエハのロード、アンロード時に有効に使えます。

ERS社AC3冷却技術を採用

 

温度チャックはERSが特許を持つERS社AC3冷却技術を採用しており、ShielDEnvironment™の空気をパージする際、使用済みドライエアを利用することにより他社のプローブシステムと比較して、ドライエアの消費量を30~50%も削減することが可能となりました。

MPI SENTIO®

 

簡単で直観的な操作が可能な、斬新的なアプローチにより、今日のプローブシステムに要求される複雑な操作を簡単にするために、MPI はマルチタッチ型のプローブシステム・コントローラを開発しました。

MPIのゴールはオペレータの操作習得ための時間を短縮し、オペレータの仕事をより、容易なものにすることです。TS2000-IFEの様なフルオート・プローブシステムでもそれを実現しています。