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200 mm Wafer Prober |  Manual Probe Stations

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150 mm Wafer Prober | High Power Manual Probe Systems  

ハイパワー・マニュアル・プローブシステム

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MPIハイパワーデバイス評価用プローブシステムはオンウエハにてハイパワーデバイスを測定するために開発されたものです。MPI TS150-HP(150mm)およびTS200 -HP(200mm)マニュアル型のプローブシステムで、オンウエハでハイパワー測定を可能とするソリューションです。パワー半導体を広い温度範囲において低い接触抵抗にて測定することが可能です。

特長と利点

エアベアリング・ステージ

MPI独自のエアベアリング・ステージにより片手で簡単にウエハのXYポジショニングおよびローディングを可能にしました。またXY/θマイクロメータ移動機構を搭載することによりさらなる微調整(25x25mm)が可能です。

MPI TS150-HP & TS200-HP - Air-Bearing Stage

10 kV同軸または3 k Vトライアキシャル・チャック

MPIでは自社製の10kV(同軸)3kV(トライアキシャル)常温チャック-60300℃の温度範囲をカバーするERS社製の温度チャックを用意しております。操作がしやすいように温度タッチコントローラがプローブステーションに組み込まれています。チャックの上に搭載するトレイによりバイアスをかける接続を保持しながら、放電を防止できるトレイも用意しました。トレイにはフロリナート(Fluorinert™) 液を充填してウエハを載せることによる放電を防止できます。

*Fluorinert は米国3M社の登録商標です。

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電圧、高電流、ウルトラ・ハイパワープローブ

MPIのハイパワープロービング・ソリューションでは専用の高電圧プローブ(HVP)、高電流プローブ(HCP)およびウルトラ・ハイパワープローブ(UHP)を用意しております。MPIの高電圧プローブ(HVP)では3kVまで(トライアキシャル)または5kV & 10kVまで(同軸)の高圧試験を可能にし、かつその時の低リーク電流測定も可能にします。高電流プローブでは接触抵抗を少なくするため、マルチコンタクト型の針を使用しています。これに加えてMPI のウルトラ・ハイパワープローブ(UHP)HVPおよびHCPの両方の機能を有しており、プローブを交換することなく。高電圧、高電流の測定が可能です。

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安全かつ高精度

標準のマニュアル型ハイパワー・プローブシステムでは、安全対策用インターロック、EMIシールド付きの暗箱が用意されており、低ノイズ、高精度かつ安全な測定が可能になります。

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計測器とのインテグレーション

TS150-HP TS200-HPはさまざまな計測器との接続を想定したパッケージタイプの製品です。キーサイト社B1505(3kV/10kV)やケースレー社2600-PCT-XB計測器との最適な接続、必要な高電圧、大電流プローブ、ケーブル、アクセサリ、8020ハイパワー・インタフェース・パネルなどが含まれています。

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