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ハイパワーデバイス測定

On-wafer characterization | Thin-wafer handling

MPIの定義

縦型、横型構造のトランジスタ、パワーダイオード、サイリスタなどのハイパワー・ディスクリートデバイスおよびはパワーアンプの電気特性測定。

主な必要性能

500V以上の電圧あるいは1A以上(パルスまたはDC)の電流を必要とする測定。

オンウエハでのハイパワー測定は次の様な課題に直面します。

  • チャックとウエハ裏面の接触抵抗
  • 大電流によるパッド焼損
  • 高電圧、温度可変での低電流リーク測定
  • 高電圧下における放電
  • 薄いウエハの取り扱い
  • 安全測定環境

MPIのソリューション

MPIの ハイパワー用プローブ・システムは3kV(トライアキシャル)/10kV(同軸)の高電圧測定、400A(パルス)の電流測定を、300℃までの温度範囲で実現します。MPIの金メッキ型ハイパワー温度チャックは、チャックに均等に配置された真空穴があり、50umまでの薄い/反ったウエハを安全に搭載できます。 これらのハイパワーチャックは優れたウエハ裏面-チャック接触抵抗を持っており、縦型デバイスのRDS(on)も低い接触抵抗で測定を可能にします

MPIのマルチコンタクト型大電流プローブは接触抵抗を少なくするだけではなく、電流を分散することによって、パッドの焼失を防ぎます。高電圧プローブは10kVまでの測定が可能で、かつ低電流リーク測定も可能にします。 UHPプローブは高電圧測定、高電流測定の双方が可能なプローブで、高電圧測定または高電流測定の際に、いちいちプローブを交換する必要はありません。

高電圧における放電を防止するために、MPIではフロリナート®用のトレイ、放電防止型プローブカードを用意しています。このプローブカードは高温でも使用可能です。

MPIのハイパワープローブ・システムでは TAIKO ウエハ搭載機能も付けられます。MPIハイパワープローブ・システムはKeysightKeithley等のSMUと組みあわせて測定できる設計になっており、いろいろな測定構成にも対応できる設計になっています。

MPIのTS2500、200mmフルオート・プローブ・システムのハイパワー測定用タイプは製造ラインで使用いただける設計になっております。24/7体制でも使用いただける信頼性を持っています。ハイパワー用アクセサリーはすべて使用可能です。

MPIのハイパワープローブ・システムは国際安全規格に準拠した安全装置が装備されております。

*フロリナートは米国3M社の登録商標です。

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