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パワーデバイス測定

パワーデバイス測定

MPIの定義

縦型/横型トランジスタ、パワーダイオード、サイリスタ、などのハイパワーディスクリートデバイス およびハイパワーアンプの電気特定測定。

主な必要性能

500V以上の高電圧あるいは 1A以上(パルスまたはDC)の大電流を必要とする測定。

オンウェハーでのハイパワー測定は主に次のような課題に直面します。

 

  • チャックとウエハー・裏面の接触抵抗
  • 大電流によるパッド焼失
  • 高電圧、高温での低リーク測定
  • 高電圧放電対策
  • 極薄ウェハーの取り扱い
  • 安全対策
On-wafer characterization | Thin-wafer handling

MPIのソリューション

MPIの ハイパワー・プローバーは に備える 正確な測定 3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)および400 A(パルス)までの高出力デバイス 含める 高温 最大300°C。 MPIの金メッキハイパワーサーマルチャック、 チャックに均等に配置された真空穴があり、 安全に 50 µmまでの薄い/反ったウェーハを固定します。 これらの高出力チャックも 垂直デバイスのRDS(on)測定用に低い接触抵抗を達成しながら、優れた裏面ウェーハ接触を提供します。

マルチコンタクト型大電流プローブは接触抵抗を低減するだけでなく、電流を分布することによってパッド焼失を防ぎます。MPIの高電圧プローブは10kVまでの低漏れ電流耐電圧測定が可能です。高電圧放電に対応するため、フロリナート*・トレーあるいは放電防止プローブ・カードを使用するなどで放電無しの測定ソリューションを提供します。

MPIの ハイパワー・プローバーは ケースレー、キーサイト社SMUなど様々な計測器に対応するように設計されており、さまざまなテスト条件を素早くセットアップすることが可能です。

また安全規格にそった安全対策も万全です。

 

*フロリナートは米国3M社の登録商標です。