Device Characterization

RF Characterization

On-Wafer Device Characterization

On-Wafer Measurements

Semiconductor Device Characterization

Device Characterization  in VLSI

MPI Probe Stations

ウエハレベルMEMSテスト

Device Characterization Process | EMI-shielded Test Environment | Automated Test Equipment

MPIの定義

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)は電気と機械機能を一緒にしたチップで、これらのデバイスは我々の日常生活上でもいろいろな分野で使用されています。小型化、軽量化およびコストの低減化の要求により、あらゆる分野でMEMS技術の要求が高まっています。MEMSは多くの場合、機械的変化を電気信号に変換するセンサー的な役割をし、また逆に電気信号を加えて機械的変化を起こさせる役割もします。

主な要求

ウエハレベルでのMEMSテストにおいては機械的に安定した環境の提供が大事になります。MEMSの機械的部分のモーションを解析するためには光学的測定が可能な測定器を追加する必要があります。光学系測定にはin-planeおよびout-planeダイナミック測定および詳細なトポグラフィー測定が含まれます。ウエハ全面の自動測定には、モーション解析装置は、プローブシステムの顕微鏡とアライメントが取れた形で動作させる必要があります。MEMSの高温での評価も必要になりますが、この測定はヒートウエーブが光学系の測定に影響を与えますので、難しい測定になります。

MPIソリューション

MPIのプローブシステムはウエハレベルでの測定を安定に実現します。システムには床からの振動の影響を最小化する防振機構がついています。TS2000-IFEはMEMS測定に要求される特性を満足するように設計されたプローブステーションです。光学系の測定が最適な環境で行えるように、関連する測定器メーカと協調しました。その結果、非常に堅牢で安定な顕微鏡ブリッジが用意され、高分解能顕微鏡であるMPI iMAG®、あるいはMEMS解析用光学系測定器を一つのブリッジに取り付けることが可能になりました。温度試験も温度シールド機能により、ヒートウエーブの影響を少なくして実施できます。

MEMSテスト用プローブシステムとしてはマニュアル型も用意しています。

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