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オンウェハーシリコンフォトニクス・デバイス特性評価

Silicon Photonics On-Wafer Test

Silicon Photonics on-wafer Tests

Silicon Photonics Probe Systems 
electrical-test wafer probing.

MPIの定義

有線、無線通信のあらゆる分野で通信帯域の広帯域が必要になってきています。またデータセンターでは高速化が必要になってきています。これらにより、今までの銅配線より、シリコンフォトニクスへの移行が加速されています。シリコンフォトニクスにおいては、光ファイバ、光導波路、光増幅器、レーザ源、光ダイオードを集積させ、今までの銅線をベースにしたネットワークよりも格段に大きなデータ容量を高速でデータセンター間で伝送することが可能になります。

 

シリコンフォトニクス・デバイスの測定ではこれまでのオンウエハ測定には無かった新しい測定が必要となります。光挿入損失(IL)、偏光依存損失測定、EEEOOEOOなどの光―電気測定、Sパラメータ、アイパターン、ジッタ、TDEC測定、BER測定などが必要になります。

主な必要性能

非常に正確なシングルまたはマルチファイバ・アレイのアライメント、DCおよびRFを含む電気信号、デバイスの動作波長に合った、光ファイバとアーム、光 カプラ等が必要になります

光系I/Oに対してファイバを数マイクロメータの距離に安定に保つため、高精度自動Zセンシングが必要になります。TIAの出力電圧を安定に保つため、高い機械的安定度と 振動防止機構が必要になります。

MPIのソリューション

MPI では オンウエハのシリコンフォトニクス評価用システム構成のために SiPHアップグレードを用意しました。システムはププラテンとチャック間の距離をできるだけ短くして、光ファイバの長さを短くして、低雑音測定の再現性の高い測定が可能になります。

様々な仕様に対応できるよう6軸までのファイバ・ポジショニング・ステージおよび関連ソフトウエアをMPI SiPH プローブ・システムと統合することにより、変化する測定要求に対応できます。測定条件が変更になった場合でも、簡単にアップグレードができ、時間と予算を削減できます。

シングルファイバまたはマルチファイバ・アレイのみのシステムも構成可能です。光系I/Oに対してファイバを数マイクロメータの距離に安定に保つため、高精度自動Zセンシング機能が組み込まれています。MPIではユニークな衝突防止機構を組み込みました。この機構は初期設定においての光ファイバとウエハの衝突を防ぐとともに、I/O用光ファイバ/アームの衝突も防止します。

シームレスに設計された測定ラックはコントローラとドライバーをできるだけ近接させることにより、設置空間を削減しています。

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