ウェハーレベルの信頼性 MPI | 失敗分析| ウェハレベル信頼性試験 障害解析PPT

オンウェハーシリコンフォトニクス・デバイス特性評価

オンウェハーシリコンフォトニクス・デバイス特性評価

MPIの定義

有線・無線通信のあらゆるアプリケーションで帯域幅が広域化、データセンターでの高速化にともない通信分野では銅配線からシリコンフォトニクスへと移行しています。シリコンフォトニクス技術は光ファイバー、光導波路、集積光学、光増幅器、レーザー周波数帯の光波、光検出器などの技術を集約し、従来の銅配線より格段に大きな容量のデータを伝送することが可能となり、データセンター間の超高速通信を実現します。

シリコンフォトニクスデバイスの測定ではこれまでのオンウェハー測定ではなかった光パラメトリック測定が必要になります。それらは挿入損失(IL)、偏光依存損失(PDL)測定、EE、EO、OE、OOなどの光-電気Sパラメータ測定、アイパターン、ジッタ、TDEC測定、受信機側のBER測定などになります。

ウェハレベル信頼性| WLRプロービング

主な必要性能

非常に精密なシングル/マルチファイバーアレイ・アライメントシステムまたの統合とDCおよびRF信号の測定が必要になります。またデバイスの動作波長やグラジエント・カプラとの整合性がとれ、光ファイバが取り付けられるプローブ・アームが必要となります。

光入出力端との距離を数ミクロンでかつ一定に保つための、自動化された高精度Zセンシングが可能でかつTIA出力電圧の誤差を最小限にするために機械的に十分な剛性があり、除振制御されている必要あります。

MPIのソリューション

専用に設計されたMPI SiPHのアップグレード シリコンフォトニクスのオンウエハテスト用。 このシステムは、プラテンからチャックまでの距離が短くなるように設計されており、繰り返し可能な低ノイズ測定を実行するために、繊維全体の長さを短くすることができます。

さまざまな仕様に対応できるよう6軸までのファイバー・ポジショニング・ステージおよび関連ソフトウェアをMPI SiPHプローバーと統合することにより、いろいろな測定要求に対応できます。測定要件が変更になった場合も簡単にアップグレードでき、時間とご予算を最小限に抑えられます。

シングル、マルチ・ファイバーアレイのみの要求にも対応しており、どの仕様についても自動Zセンシング機能が付属しており、光入出力まで数ミクロンの一定距離に保つことができます。また独自の安全対策コンセプトにて、ファイバーとウェハーだけではなく、入出力ファイバー・アーム同志の衝突防止も可能にしました。

測定器用のラックをプローバーに統合することにより、コントローラーやドライバーへのアクセス性を良くすると共に設置面積も最小にすることができました。