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故障解析(FA)

故障解析(FA)

MPIの定義

半導体製造および設計ハウスにとって市場に出ている部品や製品の故障の根本的な原因を見つけることは必要不可欠なものです。

主な必要性能

故障解析には以下なようなステップがあります:

  • オープン/ショート交互リーケージの確認による電気的および機能的不良の検証
  • ホット・スポット、エミッション解析、レーザーカッティング等による、サブミクロンレベルまでの内部ノードのプロービングによる故障個所の特定
  • サブミクロンレベルのプロービングまたはSEM、TEM、EDX、AFMなどのツールを使っての物理的故障個所の解析
  • ウェーハーレベルでの、特にMEMSデバイスのマイクロモーション解析
  • ハイパワーデバイスにおいての10kVテスト環境での故障解析
故障解析

MPIのソリューション

MPIの故障解析用プローバーは高精度な測定結果を短時間に導く出すための必要条件を備えております。剛性の高い 研究開発用プローバー および、非常に精度の高い ポジショナー 振動絶縁環境と広角ズームおよび高倍率の顕微鏡により、1ミクロンという小さな構造をプローブできます。電気的障害の検証、ローカライズ、デバッグに最適なソリューションを提供します。

MPI TS3000 プローブシステムは、特に負の60°Cまでの温度で、プローブカードとMicroPositioner(DUT駆動と内部信号測定)を同時に使用することを独自に提供します。

プラテンからチャックまでの距離が短いため、ピコプローブは非常に便利です。

ユニークなMPI レーザーカッターシステムLCS-635 1064 nm、532 nm、355 nm、または266 nmの波長に基づいた正確で信頼性の高い故障解析および変数構成向けに設計されており、いくつかの半導体材料および金属を選択的に除去できます。

MPIエンジニアリングプローブシステムは、浜松ホトニクスなどのエミッション顕微鏡を使用して簡単に構成し、ICの故障を検出して特定します。 TS150 / TS200-HP プローブシステムは、同等の分析に理想的な選択肢です ハイパワーデバイス対応